shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
淺槽隔離_百度百科
- locos sti比較
- hump effect
- shallow trench isolation半導体
- 屏蔽氧化層
- locos sti比較
- deep trench isolation
- locos sti比較
- sti divot formation
- 淺溝槽隔離
- locos sti比較
- deep trench isolation
- 淺溝渠隔離
- sti淺溝槽
- deep trench isolation process
- ild半導體
- 淺溝槽隔離
- sti usg
- usg半導體
- ldd半導體
- shallow trench isolation半導體
- usg半導體
- 淺溝槽隔離
- deep trench isolation
- locos製程
- sti divot formation
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **